Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Altukhov I$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Altukhov I. V. Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond [Електронний ресурс] / I. V. Altukhov, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khvalkovskiy, N. B. Rodionov, A. P. Bol'shakov, V. G. Ral'chenko, R. A. Khmel'nitskiy // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 1. - С. 83-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_1_15 У сильному електричному полі (~ 5 x 10<^>5 В/см) досліджено провідність епітаксійних алмазних плівок, які слабколеговані бором. Ідентифіковано механізми провідності в різних полях. Визначено концентрацію вільних носіїв (дірок). Оцінено час рекомбінації дірок на акцепторах бору. Обговорено механізми іонізації акцепторів бору сильним електричним полем.
|
|
|